Características
identificación automática de componentes
identificación automática de la configuración de los pines
Identificación de características especiales de los componentes, tales como protección de diodos o puentes de resistencias en transistores
transistores bipolares: medición de ganancia y corriente de fuga, detección de silicio y germanio
medición de umbrales de puerta en 'Enhancement Mode MOSFETs'
medición de caídas de tensión en semiconductores para diodos, LEDs y transistores (Base-Emitter)
desactivación automática y manual

Especificaciones
corriente de pico de pruebas en cortocircuito (Isc): -5.5mA ~ 5.5mA
tensión de pico de pruebas en circuito abierto (Voc): -5.1V ~ 5.1V
transistor:
rango de ganancia (Hfe): 4 ~ 65000
precisión de ganancia: ±3% ±5 Hfe
tensión de prueba Vceo: 2.0V ~ 3.0V
precisión Vbe: -2%-20mV ~ +2%+20mV
VBE para Darlington (shunted): 0.95V ~ 1.80V (0.75V ~ 1.80V)
umbral shunt base-emitter : 50kOhm ~ 70kOhm
corriente de prueba colector BJT: 2.45mA ~ 2.55mA
corriente de fuga BJT aceptable: 0.7mA
MOSFET:
rango 'gate threshold': 0.1V ~ 5.0V
presisión de umbral: -2%-20mV ~ +2%+20mV
corriente de prueba 'drain': 2.45mA ~ 255mA
resistencia 'gate': 8kOhm
corriente de prueba 'depletion drain': 4.5mA
corriente de prueba drain-source JFET: 0.5mA ~ 5.5mA
Tiristor/Triac:
corriente de prueba 'gate': 4.5mA
corriente de prueba 'load': 5.0mA
diodo:
corriente de prueba: 5.0mA
presición de tensión: -2%-20mV ~ +2%+20mV
Vf para la identificación de LEDs: 1.50V ~ 4.00V
short circuit threshold (umbral cortocircuito): 10Ohm
batería:
tipo: batería alcalina MN21 / L1028 / GP23A 12V
rango de tensión: 7.50V ~ 12V
indicación de batería baja: < 8.5V
dimensiones: 103x70x20mm